硅-藍晶(jing)(jing)石由單(dan)晶(jing)(jing)體接地體無(wu)素組成(cheng)，不易出現時(shi)滯、疲(pi)乏和(he)(he)應力松弛物理(li)現象(xiang)；藍晶(jing)(jing)石擁有(you)(you) 是不錯的可塑(su)(su)性(xing)(xing)和(he)(he)接地基(ji)(ji)本基(ji)(ji)本的特(te)點（1000℃以下），對溫差變(bian)(bian)遷不太過(guo)敏(min)(min)度(du)(du)，所有(you)(you)在(zai)高溫高壓狀態下，也擁有(you)(you) 太好的工(gong)作任務(wu)基(ji)(ji)本基(ji)(ji)本的特(te)點；藍晶(jing)(jing)石的抗幅射基(ji)(ji)本基(ji)(ji)本的特(te)點很強；另一(yi)方(fang)面，硅-藍晶(jing)(jing)石半導體設備太過(guo)敏(min)(min)度(du)(du)構件(jian)，無(wu)p-n漂移，往(wang)往(wang)，可應該用于各樣復(fu)雜性(xing)(xing)學習環境公開場合。感測(ce)器器由雙膜片包括：鈦(tai)(tai)鎂(mei)(mei)金屬衡量膜片和(he)(he)鈦(tai)(tai)鎂(mei)(mei)金屬接受到(dao)膜片。印刷制版有(you)(you)異(yi)質(zhi)外延性(xing)(xing)性(xing)(xing)應對精確度(du)(du)電(dian)(dian)橋(qiao)電(dian)(dian)路系(xi)統(tong)設計(ji)的藍晶(jing)(jing)石膜片，被熔焊在(zai)鈦(tai)(tai)鎂(mei)(mei)金屬衡量膜片上。被測(ce)壓差傳輸(shu)數據到(dao)接受到(dao)膜片上。在(zai)壓差的用處下，鈦(tai)(tai)鎂(mei)(mei)金屬接受到(dao)膜片形成(cheng)塑(su)(su)性(xing)(xing)塑(su)(su)性(xing)(xing)變(bian)(bian)形，該塑(su)(su)性(xing)(xing)塑(su)(su)性(xing)(xing)變(bian)(bian)形被硅-藍晶(jing)(jing)石太過(guo)敏(min)(min)度(du)(du)構件(jian)探(tan)知后，其電(dian)(dian)橋(qiao)傷害會出現變(bian)(bian)遷，變(bian)(bian)遷的頻(pin)率與被測(ce)壓差正(zheng)相關。電(dian)(dian)橋(qiao)電(dian)(dian)路系(xi)統(tong)設計(ji)將電(dian)(dian)橋(qiao)的貧富(fu)分化信息，變(bian)(bian)換為直流電(dian)(dian)壓信息傷害。